技术壁垒突显

国内一家企业位居行业首位，率先实现了ArF光刻胶的大规模生产，其产品线延伸至28nm工艺级别。至2024年，该企业ArF光刻胶的出货量大幅提升至15吨，较2023年的2.1吨有显著提升。在此出货量中，28nm以下制程的产品占比达到了35%。该企业已在光刻胶高端技术领域实现重大突破，显著提升了技术水平。这一进展成功攻克了技术难关，为我国半导体产业的加速发展奠定了坚实基础。

尽管ArF等先进半导体光刻技术持续取得进展，我国在相关领域的布局尚不完善，这一事实反映出我国光刻胶产业在技术提升上仍面临诸多挑战，发展道路漫长。

研发投入加大

2024年，众多企业大幅提升了对研发的资金投入，其研发支出占比已超15%。这些企业特别关注ArF浸没式光刻胶及EUV技术的预先研究，同时与中科院微电子所合作，共同推进适用于14nm逻辑芯片的光刻胶开发。这些企业得益于丰厚的资金注入和科研力量的加大，有望在光刻胶关键技术方面取得创新进展，进而提升自身及整个行业的竞争力。

增强研发投入能够促进技术进步，但这也相应增加了企业的成本压力和潜在风险。企业在研发资金投入与收益产出间寻求平衡，面临着一项复杂的难题。

业务结构多样

在业务构成方面，部分公司呈现出独特的特点。以PCB光刻胶市场为例，某家公司在国内市场的份额约为25%，但在半导体光刻胶领域的收入比例却只有15%。这家公司已成功实现i线光刻胶的大规模生产，而KrF光刻胶目前正处于客户验证阶段。

企业涉及的业务领域广泛，这一特点增强了其抗风险能力，但同时也可能引发资源分散的问题，对核心业务的增长造成负面影响。鉴于此，企业必须合理调配各业务领域的资源。

细分领域成果

在LCD正面光刻胶市场领域，部分企业占据了全球市场份额的前三甲。此外，这些企业在半导体后端封装材料领域也取得了卓越的成就。长电科技对i线光刻胶进行了验证，KrF配套的Barc材料已进入中试阶段。这些进展充分展示了企业在特定技术领域的专业能力以及市场的高度认可。

细分市场中的竞争同样激烈，企业需持续推动技术革新，并提升产品品质，以此在全球竞争中维持其优势地位。

产能释放现状

该正性光刻胶的设计产能为2500吨，预计2024年实际产量将接近1000吨，其市场份额不足10%。与此同时，负性光刻胶的产能正逐步向国内市场倾斜。这一转变不仅增加了市场选项，同时也对市场需求消化提出了新的挑战。

企业应重视提高生产能力的利用率，并且要保证能够适应市场对各种光刻胶的多重需求。这两个问题构成了产能释放过程中的核心难题。

竞争挑战重重

光刻胶市场正经历着激烈的竞争态势。在客户验证环节，半导体光刻胶的验证周期普遍较长，通常需2至3年。例如，容大感光、晶瑞电材等公司可能面临生产进度不及预期的风险。此外，在价格方面，PCB光刻胶市场同质化问题突出，这给容大感光、飞凯材料等企业的毛利率带来了压力。

南大光电及晶瑞电材等企业在KrF/ArF技术方面已实现进展，据预测，我国半导体光刻胶的国内自给率至2025年有望提升至10%。尽管如此，该领域仍存在众多挑战。业界普遍关注，光刻胶企业需如何解决这些竞争中的难题？